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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
69
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
28
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2619
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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