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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
69
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
23
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3018
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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