RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
69
Intorno -245% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
20
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3432
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link