RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
65
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
44
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
2523
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link