Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 13.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,451.8 11.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

42 65

Intorno -55% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 6400

Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

878 2525

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns