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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
65
Intorno -14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
57
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
2276
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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