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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
2712
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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