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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
66
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
2,227.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
65
66
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
4,025.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
2,227.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
685
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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