RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,096.4
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
60
Intorno -28% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
47
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3275
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link