RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
82
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.5
2,096.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
82
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
1354
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link