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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
65
Intorno -117% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
30
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3537
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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