RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
65
Intorno -81% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
36
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3564
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link