RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
29
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2458
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link