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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2759
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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