RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
16.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
65
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
20
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3465
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link