RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Jinyu 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Jinyu 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Jinyu 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Jinyu 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
65
Intorno -210% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Jinyu 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
21
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3209
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Jinyu 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link