RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
65
Intorno -86% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
35
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2609
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link