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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
65
Intorno -110% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
31
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3518
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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