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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
65
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
42
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2551
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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