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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
65
Intorno -141% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
27
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2511
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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