RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2670
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link