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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
56
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,501.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
23
Velocità di lettura, GB/s
3,161.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,501.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
381
2978
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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