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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Confronto
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
57
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,956.1
1,906.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
52
57
Velocità di lettura, GB/s
4,672.4
3,779.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.4
1,956.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
698
577
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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