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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
57
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
57
Velocità di lettura, GB/s
15.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2792
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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