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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
26
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2323
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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