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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
36
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
29
Velocità di lettura, GB/s
15.0
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3353
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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