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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
36
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
29
Velocità di lettura, GB/s
15.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3314
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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