RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3042
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link