RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
37
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2863
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link