RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2426
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link