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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
24
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3346
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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