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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3711
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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