RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
15.0
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3310
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link