Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 83
    Intorno 57% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 83
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.0 left arrow 14.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.3 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2569 left arrow 1752
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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