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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
36
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
29
Velocità di lettura, GB/s
15.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3287
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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