RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
72
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
72
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
1918
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link