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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
78
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
78
Velocità di lettura, GB/s
15.0
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
1584
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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