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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
36
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2247
2292
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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