Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 47
    Intorno 23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 14
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 8.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 47
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 14.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2497 left arrow 2640
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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