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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3010
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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