RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
15.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2931
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link