RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3482
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link