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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2488
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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