RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno -44% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
25
Velocità di lettura, GB/s
15.8
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2003
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link