Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB vs AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Punteggio complessivo
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 42
    Intorno -62% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.0 left arrow 8.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.5 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.7 left arrow 10.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2348 left arrow 2634
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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