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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
42
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
41
Velocità di lettura, GB/s
13.5
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2348
2016
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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