RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
39
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
39
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2852
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link