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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
25
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3404
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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