RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2933
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link