RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
27
Velocità di lettura, GB/s
13.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2418
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link